泛林集團推出先進介電質填隙技術,,推動下一代器件的發(fā)展

2020-10-08 09:43:42 sunmedia 2642


全新Striker? FE增強版原子層沉積平臺可解決3D NAND,、DRAM和邏輯芯片制造商面臨的挑戰(zhàn)

上?!?,全球半導體產業(yè)創(chuàng)新晶圓制造設備及服務主要供應商泛林集團 (Nasdaq: LRCX) 宣布推出一款全新的工藝方案——先進的Striker? FE平臺——用于制造高深寬比的芯片架構,。Striker FE平臺采用了業(yè)界首創(chuàng)的ICEFill?技術,,以填充新節(jié)點下3D NAND,、DRAM和邏輯存儲器的極端結構。不僅如此,,該系統(tǒng)還具備更低的持續(xù)運行成本和更好的技術延展性,,以滿足半導體產業(yè)技術路線圖的發(fā)展。

半導體制造行業(yè)一直以來使用的填隙方法包括傳統(tǒng)的化學氣相沉積 (CVD),、擴散/熔爐和旋涂工藝,。然而,由于這些技術需要在質量,、收縮率和填充率之間權衡取舍,,因此已無法滿足當前3D NAND的生產要求。相比之下,,泛林集團的Striker ICEFill采用其獨有的表面改性技術,,可以實現高選擇性自下而上及無縫的填隙,并保持原子層沉積 (ALD) 固有的成膜質量,。 ICEFill技術能夠解決3D NAND器件普遍存在的高深寬比填隙面臨的限制,,避免DRAM和邏輯器件結構倒塌的問題。

泛林集團高級副總裁兼沉積產品事業(yè)部總經理Sesha Varadarajan表示:“我們致力于為客戶提供最好的ALD技術,。在單一工藝系統(tǒng)中,,這項技術不僅能夠以優(yōu)異的填隙性能生產高質量氧化膜,還整合了泛林集團行業(yè)領先的四位一體的模塊架構帶來的生產率優(yōu)勢,?!?/p>

Striker FE平臺的ICEFill技術屬于泛林集團Striker ALD產品系列,欲了解該系列產品的更多信息,請訪問產品頁面,。

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泛林集團(納斯達克股票代碼:LRCX)是全球半導體產業(yè)創(chuàng)新晶圓制造設備及服務主要供應商,。作為全球領先半導體公司可信賴的合作伙伴,我們結合了卓越的系統(tǒng)工程能力,、技術領導力,,以及幫助客戶成功的堅定承諾,,通過提高器件性能來加速半導體產業(yè)的創(chuàng)新,。事實上,,當今市場上幾乎每一顆先進的芯片都使用了泛林集團的技術,。泛林集團是一家財富500強公司,,總部位于美國加利福尼亞州弗里蒙特市,,業(yè)務遍及世界各地。欲了解更多信息,,請訪問:www.lamresearch.com(LRCX-P),。

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